产业有增长也有阵痛，复盘2024年的半导体产业状况，有哪些长足的进展又有哪些短板？展望2025年，半导体市场又有哪些机会，该怎么样发展？为此，，收到数十位国内外半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。其中，电子发烧友特别采访了CGD（Cambridge GaN Devices）首席营销官Andrea Bricconi，以下是他对2025年半导体市场的分析与展望。
根据相关统计数据，2024年全球半导体市场在AI智能网联汽车等领域的带动下，有望实现10%～20%的高增长。谈到2024年半导体市场回暖，Andrea Bricconi表示：“我们同意今年以来半导体产业正在回暖的观点。CGD作为一家深耕氮化镓技术的初创公司，即使在成熟市场出现衰退的情况下，仍在迅速成长的氮化镓功率器件市场中飞速扩张。”
深究半导体产业增长背后，生成式AI是很重要的驱动因素。Andrea Bricconi认为：“生成式AI的发展正在重塑产业格局，特别是在半导体领域。AI 系统功能的日益强大对处理器GPU提出了更高的功率需求。例如，数据中心的平均功率密度已从每机架15kW提升至100kW，甚至未来可达到200kW。应对以指数级增长需求的唯一方法就是采用更先进的电源架构和技术。氮化镓技术的高效率和高功率密度使数据中心和其他AI系统的设计得以突破现有瓶颈，满足日益严苛的需求。”
此外，Andrea Bricconi指出，新能源汽车、可再次生产的能源也是促进半导体产业复苏的主要领域。和AI领域一样，高效率是新能源汽车、可再次生产的能源领域的共同需求，而WBG技术正是这一需求的完美解决方案。相较于传统的硅器件，氮化镓和碳化硅器件在效率上具有强大优势，已成为电动车快充技术、再次生产的能源逆变器及AI数据中心的核心推手。
为了满足各行业对高效率的最新需求，2024年CGD推出了新型ICeGaN®功率IC，RDS(on）低至25 mΩ，支持数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用，并提供超高效率。
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(GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使
增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据中心节约多达 700 万美元的能源成本。
带来可能。然而，在高频下需要对EMI性能做评估以满足EMC法规（例如EN55022 B类标准）要求。
功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最
今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势
解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压能够更好的降低成本并提
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备（从智能手机充电器到数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于
较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压可以减少相关成本并提
走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，
化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。
材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成
优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使
比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：
。在此基础上，增加单管激光器的发光区宽度和长度，单管激光器的光功率能更加进一步提升，并结合正在发展的GaN激光器的光束整形和合束
信息业的迅猛发展，给通信电源市场带来了巨大的市场机会和挑战，同时对电源提出了一些新的需求，其中
挑战。随着运营商设备的了断增多、用电量飞速增加、机房面积紧张等客观因素的存在
射频功率放大器被大范围的应用于各种无线通信设施中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。
原理，并解释了输出为脉宽调制（PWM）波形时还可通过扬声器听到正常声音的原因。
。ETA80G25支持90-264V输入，支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式，满载最高开关频率80kHz，轻载下支持频率折返控制，可
电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，
和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，
和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。 随着全球能量需求的持续不断的增加，采用
。 在器件层面，根据真实的情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，
，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。 纳微推出的世界上首款
器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，
的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领头羊。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“
电器，使用传统的功率开关无法改变充电器的现状。[color=rgb(51, 51, 51) !important]而GaN
可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件，并能在高速开关的情况下仍保持
(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的
充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用
电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
运行的功能）。图2.与升压型 PFC 拓扑相比，BTP PFC 控制器具有热和功率密度优势
，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端
脉冲频率调制是什么？为何需要用脉冲频率调制（PFM）的功率特性来提高电源
？与PWM模式比较，PFM模式有哪些优势？怎么样保持PFM模式低负载时的
官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和
设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.宣布已通过并生产RF3932，这种无与伦比的75瓦特
凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高功率、
凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高功率、
的需求。功率管 Q1，Q2，均为 TRANSPHORM 公司的 TP65H050G4WS TO247 封装，可
器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电
是指一种宽带隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，具有相对宽的带隙。所以宽带隙器件可以在高压、高温、高频率下工作。
将在手机快充充电器市场快速渗透，长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。
就不一样了，单车变轿车，开关频率得到大幅度的提高，损耗还更小。如此一来，充电器就能用上体积更小的变压器、电容、电感。。。。。。从而有效缩小充电器体积，降低发热、提
是由美国物理学家威廉·贝克（William Beck）于1962年突破的
未能证实） 1993年，Nichia公司首先研制成发光亮度超过lcd的高亮度GaInN/AlGaN异质结蓝光LED，使用掺Zn的GaInN作为有源层，外量子
作为主要材料，具备优秀能力的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得
功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和
的能量转换。它可以将输入电源的直流电转换为适合设备充电的电流和电压，最大限度地提高能量转换
，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被大范围的应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍
近日，无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices（
和高频率应用中的显著优势，迅速成为半导体行业的焦点。尤其是在人工智能(AI)、智能汽车和新能源等新兴领域的推动下，
具有高电子迁移率和低电阻率，使得它在高频和高功率应用中表现出色。例如，在5G通信、雷达系统、卫星通信等需要高频工作的领域，
